| Numer części producenta : | ALD114835PCL |
|---|---|
| Status RoHs : | |
| Producent / marka : | Advanced Linear Devices, Inc. |
| Stan magazynowy : | - |
| Opis : | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP |
| Statek z : | Hongkong |
| Arkusze danych : | ALD114835PCL.pdf |
| Sposób wysyłki : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Nr części | ALD114835PCL |
|---|---|
| Producent | Advanced Linear Devices, Inc. |
| Opis | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP |
| Stan ołowiu / status RoHS | |
| dostępna ilość | Na stanie |
| Arkusze danych | ALD114835PCL.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3.45V @ 1µA |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet | 16-PDIP |
| Seria | EPAD® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs | 540Ohm @ 0V |
| Moc - Max | 500mW |
| Package / Case | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Pakiet | Tube |
| temperatura robocza | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania | Through Hole |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | - |
| Cecha FET | Depletion Mode |
| Spust do źródła napięcia (Vdss) | 10.6V |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 12mA, 3mA |
| Konfiguracja | 4 N-Channel, Matched Pair |
| Podstawowy numer produktu | ALD114835 |







MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP