Numer części producenta : | IS43DR82560B-25EBL | Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
---|---|---|---|
Producent / marka : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) | Stan magazynowy : | 4307 pcs Stock |
Opis : | IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA | Statek z : | Hongkong |
Arkusze danych : | IS43DR82560B-25EBL.pdf | Sposób wysyłki : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Nr części | IS43DR82560B-25EBL |
---|---|
Producent | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Opis | IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA |
Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 4307 pcs |
Arkusze danych | IS43DR82560B-25EBL.pdf |
Zapisać czas cyklu - słowo, strona | 15ns |
Napięcie - Dostawa | 1.7 V ~ 1.9 V |
Technologia | SDRAM - DDR2 |
Dostawca urządzeń Pakiet | 60-TWBGA (10.5x13) |
Seria | - |
Package / Case | 60-TFBGA |
temperatura robocza | 0°C ~ 85°C |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 3 (168 Hours) |
Typ pamięci | Volatile |
Rozmiar pamięci | 2Gb (256M x 8) |
Interfejs pamięci | Parallel |
Format pamięci | DRAM |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
szczegółowy opis | SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-TWBGA (10.5x13) |
Częstotliwość zegara | 400MHz |
Czas dostępu | 400ps |
IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA
IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA