Numer części producenta : | IDC08S120EX1SA3 | Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
---|---|---|---|
Producent / marka : | International Rectifier (Infineon Technologies) | Stan magazynowy : | 1512 pcs Stock |
Opis : | DIODE SCHOTTKY 1200V 7.5A DIE | Statek z : | Hongkong |
Arkusze danych : | IDC08S120EX1SA3.pdf | Sposób wysyłki : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Nr części | IDC08S120EX1SA3 |
---|---|
Producent | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Opis | DIODE SCHOTTKY 1200V 7.5A DIE |
Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 1512 pcs |
Arkusze danych | IDC08S120EX1SA3.pdf |
Napięcie - Szczyt Rewers (Max) | Silicon Carbide Schottky |
Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli | 7.5A (DC) |
Napięcie - Podział | Sawn on foil |
Seria | thinQ!™ |
Stan RoHS | Bulk |
Odwrócona Recovery Time (TRR) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Odporność @ Jeżeli F | 380pF @ 1V, 1MHz |
Polaryzacja | Die |
Inne nazwy | SP000599930 |
Temperatura pracy - złącze | 0ns |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Numer części producenta | IDC08S120EX1SA3 |
Rozszerzony opis | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 7.5A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
Diode Configuration | 180µA @ 1200V |
Opis | DIODE SCHOTTKY 1200V 7.5A DIE |
Obecny - Reverse Przeciek @ Vr | 1.8V @ 7.5A |
Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode) | 1200V (1.2kV) |
Pojemność @ VR F | -55°C ~ 175°C |
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
Na stanieDIODE SIC 600V 5A SAWN WAFER
Na stanieDIODE GEN PURPOSE SAWN WAFER
Na stanieIC DIODE EMITTER CTLR WAFER
Na stanieDIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER
Na stanieDIODE SCHOTTKY 1200V 7.5A DIE
DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER
Na stanieDIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
Na stanieDIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER
Na stanieDIODE GEN PURPOSE SAWN WAFER
Na stanie