Numer części producenta : | EMB3T2R |
---|---|
Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
Producent / marka : | LAPIS Semiconductor |
Stan magazynowy : | 353177 pcs Stock |
Opis : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
Statek z : | Hongkong |
Arkusze danych : | EMB3T2R(1).pdfEMB3T2R(2).pdf |
Sposób wysyłki : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Nr części | EMB3T2R |
---|---|
Producent | LAPIS Semiconductor |
Opis | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 353177 pcs |
Arkusze danych | EMB3T2R(1).pdfEMB3T2R(2).pdf |
Napięcie - kolektor emiter (Max) | 50V |
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC | 300mV @ 2.5mA, 5mA |
Typ tranzystora | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Dostawca urządzeń Pakiet | EMT6 |
Seria | - |
Rezystor - podstawa nadajnika (R2) | - |
Rezystor - Podstawa (R1) | 4.7 kOhms |
Moc - Max | 150mW |
Opakowania | Tape & Reel (TR) |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Inne nazwy | EMB3T2R-ND EMB3T2RTR |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Standardowy czas oczekiwania producenta | 10 Weeks |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Częstotliwość - Transition | 250MHz |
szczegółowy opis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Obecny - Collector odcięcia (Max) | - |
Obecny - Collector (Ic) (maks) | 100mA |
Podstawowy numer części | MB3 |
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
BIDIRECTIONAL CURRENT DC-DC CONT
BIDIRECTIONAL CURRENT DC-DC CONT
IC SDRAM LPDDR2 8GBIT 128MX64 FB
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
IC GATE DRIVER 48WQFN
SPEC/CUSTOM IC SDRAM LPDDR2 WFBG
SPEC/CUSTOM IC SDRAM LPDDR2 WFBG
IC SDRAM LPDDR2 8GBIT 256MX32 FB
IC DC/DC CTRLR 28HTSSOP