Numer części producenta : | GL4100 | Status RoHs : | Zawiera ołów / RoHS niezgodny |
---|---|---|---|
Producent / marka : | Sharp Microelectronics | Stan magazynowy : | 5740 pcs Stock |
Opis : | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL | Statek z : | Hongkong |
Arkusze danych : | GL4100.pdf | Sposób wysyłki : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Nr części | GL4100 |
---|---|
Producent | Sharp Microelectronics |
Opis | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL |
Stan ołowiu / status RoHS | Zawiera ołów / RoHS niezgodny |
dostępna ilość | 5740 pcs |
Arkusze danych | GL4100.pdf |
Długość fali | 950nm |
Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ) | 1.2V |
Kąt widzenia | 180° |
Rodzaj | Infrared (IR) |
Seria | - |
Radiant Intensity (Ie) Min @ Jeśli | - |
Opakowania | - |
Package / Case | Radial |
Inne nazwy | 425-1024-5 |
Orientacja | Side View |
temperatura robocza | -25°C ~ 85°C (TA) |
Rodzaj mocowania | Through Hole |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status bezołowiowy / status RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
szczegółowy opis | Infrared (IR) Emitter 950nm 1.2V 50mA 180° Radial |
Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.) | 50mA |
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB