Numer części producenta : | RN1422TE85LF | Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
---|---|---|---|
Producent / marka : | Toshiba Semiconductor and Storage | Stan magazynowy : | 145 pcs Stock |
Opis : | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI | Statek z : | Hongkong |
Arkusze danych : | RN1422TE85LF.pdf | Sposób wysyłki : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Nr części | RN1422TE85LF |
---|---|
Producent | Toshiba Semiconductor and Storage |
Opis | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI |
Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 145 pcs |
Arkusze danych | RN1422TE85LF.pdf |
Napięcie - kolektor emiter (Max) | 50V |
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC | 250mV @ 1mA, 50mA |
Typ tranzystora | NPN - Pre-Biased |
Dostawca urządzeń Pakiet | S-Mini |
Seria | - |
Rezystor - podstawa nadajnika (R2) | 2.2 kOhms |
Rezystor - Podstawa (R1) | 2.2 kOhms |
Moc - Max | 200mW |
Opakowania | Tape & Reel (TR) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Inne nazwy | RN1422(TE85L,F) |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Standardowy czas oczekiwania producenta | 11 Weeks |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Częstotliwość - Transition | 300MHz |
szczegółowy opis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini |
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce | 65 @ 100mA, 1V |
Obecny - Collector odcięcia (Max) | 500nA |
Obecny - Collector (Ic) (maks) | 800mA |
Podstawowy numer części | RN142* |
DIODE PIN 60V UMD
DIODE PIN 30V 50MA GMD2
X34 PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSIS
DIODE FAST REC 50V 100MA 2EMD TR
DIODE PIN 60V 100MA VMD2
DIODE PIN 60V 100MA EMD2 TR
TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI