Numer części producenta : | W9464G6KH-5 |
---|---|
Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
Producent / marka : | Winbond Electronics Corporation |
Stan magazynowy : | 4784 pcs Stock |
Opis : | IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II |
Statek z : | Hongkong |
Arkusze danych : | W9464G6KH-5.pdf |
Sposób wysyłki : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Nr części | W9464G6KH-5 |
---|---|
Producent | Winbond Electronics Corporation |
Opis | IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II |
Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 4784 pcs |
Arkusze danych | W9464G6KH-5.pdf |
Zapisać czas cyklu - słowo, strona | 15ns |
Napięcie - Dostawa | 2.3 V ~ 2.7 V |
Technologia | SDRAM - DDR |
Dostawca urządzeń Pakiet | 66-TSOP II |
Seria | - |
Opakowania | Tray |
Package / Case | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
temperatura robocza | 0°C ~ 70°C (TA) |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 3 (168 Hours) |
Typ pamięci | Volatile |
Rozmiar pamięci | 64Mb (4M x 16) |
Interfejs pamięci | Parallel |
Format pamięci | DRAM |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
szczegółowy opis | SDRAM - DDR Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 200MHz 55ns 66-TSOP II |
Częstotliwość zegara | 200MHz |
Czas dostępu | 55ns |
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II