Micron wprowadza pierwszy układ DDR5 1 γ DDR5 za pomocą technologii EUV
Feb 26,2025
Micron Technology ogłosiła, że rozpoczęła wysyłkę 1 gamma (1-gamma) 16Gbit DDR5 DRAM dla niektórych partnerów i klientów ekosystemowych.
Micron twierdzi, że jest pierwszą firmą, która przyjęła węzeł 1-gamma (1 γ), który odnosi się do szóstej generacji technologii procesu DRAM o minimalnej wielkości geometrycznej między 19 nm a 10 nm.Gdy producenci DRAM zaczęli produkować DRAM na poziomie 10 nm, porzucili pomiary nanoskali i zamiast tego przyjęli 1x, 1y, 1Z, obecnie 1 α, 1 β i 1 γ.
Dzięki poprzednim wiodącym przewagie Microna w 1 α i 1 β DRAM, ten nowy kamień milowy w 1 γ DRAM będzie dążyć do innowacyjnego rozwoju przyszłych platform obliczeniowych z aplikacji chmurowych, przemysłowych i konsumenckich po kompleksowe urządzenia AI, takie jak AIPC, smartfony i samochody.Tymczasem, opracowując 1 węzeł gamma w różnych bazach produkcyjnych na całym świecie, Micron może zapewnić branży bardziej zaawansowaną technologię i silniejszą odporność dostaw.
Micron twierdzi, że jest pierwszą firmą, która przyjęła węzeł 1-gamma (1 γ), który odnosi się do szóstej generacji technologii procesu DRAM o minimalnej wielkości geometrycznej między 19 nm a 10 nm.Gdy producenci DRAM zaczęli produkować DRAM na poziomie 10 nm, porzucili pomiary nanoskali i zamiast tego przyjęli 1x, 1y, 1Z, obecnie 1 α, 1 β i 1 γ.
Dzięki poprzednim wiodącym przewagie Microna w 1 α i 1 β DRAM, ten nowy kamień milowy w 1 γ DRAM będzie dążyć do innowacyjnego rozwoju przyszłych platform obliczeniowych z aplikacji chmurowych, przemysłowych i konsumenckich po kompleksowe urządzenia AI, takie jak AIPC, smartfony i samochody.Tymczasem, opracowując 1 węzeł gamma w różnych bazach produkcyjnych na całym świecie, Micron może zapewnić branży bardziej zaawansowaną technologię i silniejszą odporność dostaw.
1 γ 16 gbit DDR5 Micron jest zaprojektowany w celu zapewnienia możliwości prędkości do 9200 mt/s, co jest o 15% szybsze i ponad 20% niższe zużycie energii w porównaniu z jego poprzednikiem (16 gbit DDR5 za pomocą technologii 1 β).
W porównaniu z poprzedniej generacji technologia 1 γ Node EUV zwiększyła produkcję gęstości pojemności płytki o 30%, co poprawiło korzyści ekonomiczne Micron.Jednak w przeciwieństwie do węzła 1 β, wymaga on zastosowania technologii litografii ekstremalnej ultrafioletowej (EUV) w celu przedstawienia drobniejszych cech na płynach krzemowych przy użyciu bardzo krótkich długości fal.Pamięć obejmuje również technologię CMOS o wysokiej generacji bramki CMOS, która zwiększa wydajność tranzystora, osiąga wyższe prędkości, bardziej zoptymalizowane projekty i mniejsze rozmiary funkcji, zapewniając w ten sposób podwójne zalety redukcji zużycia energii i rozszerzenia wydajności.
Scott DeBoer, wiceprezes wykonawczy i dyrektor ds. Technologii i produktu w Micron, powiedział: „Dzięki wiedzy specjalistycznej w zakresie opracowywania zastrzeżonej technologii DRAM i strategicznym zastosowaniu technologii litografii EUV, Micron stworzył portfolio produktów zaawansowanych pamięci opartej na 1 węzłach gamma, pomagając w prowadzeniu sięRozwój ekosystemu AI.My, aby rozszerzyć skalę podaży pamięci, aby zaspokoić rosnące zapotrzebowanie branży
Micron planuje wprowadzić 1 gamma w całej serii DRAM.Obejmuje to DDR5 dla centrów danych, DRAM o niskiej mocy dla Edge AI, DDR5 SODIMM dla komputerów AI i LPDDR5X dla produktów mobilnych i samochodów.
Micron stwierdził, że klienci AMD i Intel zaczęli weryfikacji stosowania 1 Gamma DRAM na swoich serwerach i procesorach konsumenckich.
W porównaniu z poprzedniej generacji technologia 1 γ Node EUV zwiększyła produkcję gęstości pojemności płytki o 30%, co poprawiło korzyści ekonomiczne Micron.Jednak w przeciwieństwie do węzła 1 β, wymaga on zastosowania technologii litografii ekstremalnej ultrafioletowej (EUV) w celu przedstawienia drobniejszych cech na płynach krzemowych przy użyciu bardzo krótkich długości fal.Pamięć obejmuje również technologię CMOS o wysokiej generacji bramki CMOS, która zwiększa wydajność tranzystora, osiąga wyższe prędkości, bardziej zoptymalizowane projekty i mniejsze rozmiary funkcji, zapewniając w ten sposób podwójne zalety redukcji zużycia energii i rozszerzenia wydajności.
Scott DeBoer, wiceprezes wykonawczy i dyrektor ds. Technologii i produktu w Micron, powiedział: „Dzięki wiedzy specjalistycznej w zakresie opracowywania zastrzeżonej technologii DRAM i strategicznym zastosowaniu technologii litografii EUV, Micron stworzył portfolio produktów zaawansowanych pamięci opartej na 1 węzłach gamma, pomagając w prowadzeniu sięRozwój ekosystemu AI.My, aby rozszerzyć skalę podaży pamięci, aby zaspokoić rosnące zapotrzebowanie branży
Micron planuje wprowadzić 1 gamma w całej serii DRAM.Obejmuje to DDR5 dla centrów danych, DRAM o niskiej mocy dla Edge AI, DDR5 SODIMM dla komputerów AI i LPDDR5X dla produktów mobilnych i samochodów.
Micron stwierdził, że klienci AMD i Intel zaczęli weryfikacji stosowania 1 Gamma DRAM na swoich serwerach i procesorach konsumenckich.