Numer części producenta : | IS43R86400D-6BL |
---|---|
Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
Producent / marka : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Stan magazynowy : | 2340 pcs Stock |
Opis : | IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA |
Statek z : | Hongkong |
Arkusze danych : | IS43R86400D-6BL.pdf |
Sposób wysyłki : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Nr części | IS43R86400D-6BL |
---|---|
Producent | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Opis | IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA |
Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 2340 pcs |
Arkusze danych | IS43R86400D-6BL.pdf |
Zapisać czas cyklu - słowo, strona | 15ns |
Napięcie - Dostawa | 2.3 V ~ 2.7 V |
Technologia | SDRAM - DDR |
Dostawca urządzeń Pakiet | 60-TFBGA (8x13) |
Seria | - |
Opakowania | Tray |
Package / Case | 60-TFBGA |
temperatura robocza | 0°C ~ 70°C (TA) |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 3 (168 Hours) |
Typ pamięci | Volatile |
Rozmiar pamięci | 512Mb (64M x 8) |
Interfejs pamięci | Parallel |
Format pamięci | DRAM |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
szczegółowy opis | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 166MHz 700ps 60-TFBGA (8x13) |
Częstotliwość zegara | 166MHz |
Czas dostępu | 700ps |
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA