Numer części producenta : | DF10G6M4N,LF | Status RoHs : | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
---|---|---|---|
Producent / marka : | Toshiba Semiconductor and Storage | Stan magazynowy : | 550 pcs Stock |
Opis : | TVS DIODE 5.5V 25V 10DFN | Statek z : | Hongkong |
Arkusze danych : | DF10G6M4N,LF.pdf | Sposób wysyłki : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Nr części | DF10G6M4N,LF |
---|---|
Producent | Toshiba Semiconductor and Storage |
Opis | TVS DIODE 5.5V 25V 10DFN |
Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowa / zgodna z RoHS |
dostępna ilość | 550 pcs |
Arkusze danych | DF10G6M4N,LF.pdf |
Napięcie - Reverse patowa (typ) | 5.5V (Max) |
Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp | 25V |
Napięcie - podziały (min) | 5.6V |
Rodzaj | Zener |
Dostawca urządzeń Pakiet | 10-DFN (2.5x1) |
Seria | - |
Ochrona linii zasilających | No |
Moc - Peak Pulse | 30W |
Opakowania | Tape & Reel (TR) |
Package / Case | 10-UFDFN |
Inne nazwy | DF10G6M4N,LF(D DF10G6M4NLFTR |
temperatura robocza | - |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) |
Standardowy czas oczekiwania producenta | 12 Weeks |
Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs) | 2A (8/20µs) |
Pojemność @ Częstotliwość | 0.2pF @ 1MHz |
Kanały dwukierunkowe | 4 |
Aplikacje | General Purpose |
LOW POWER EASY
Na stanieDIODE GPP 1A 1000V 4DIP
DIODE BRIDGE 1000V 1.5A 4DIP
RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF-M
IGBT MODULE 1700V 1000A
Na stanieTVS DIODE 3.6V 24V 10DFN
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2
Na stanieIGBT MODULE 1700V 1000A
Na stanieRECT BRIDGE SMD 1000V 1A 4P DF-S
TVS DIODE 5V 12V 10DFN