Doniesiono, że Samsung dostarczy wyłącznie 12 -warstwowe układy HBM3E do Nvidii we wrześniu
Mar 26,2024
Samsung Electronics szybko zyskuje przyczółek na rynku przechowywania wysokiej przepustowości (HBM).Samsung z powodzeniem opracował 12 -warstwowy układ DRAM HBM3E i może wkrótce przewyższyć obecnych liderów, aby stać się jedynym dostawcą 12 -warstwowych układów HBM3E NVIDIA.
Raporty branżowe wskazują, że Samsung wyprzedza swoich konkurentów w opracowywaniu 12 -warstwowego HBM3E i oczekuje się, że stanie się wyłącznym dostawcą 12 -warstwowej HBM3E NVIDIA już września 2024 r. Samsung stwierdził, że nie jest w stanie ujawnić informacji o klientach.
Pod koniec lutego 2024 r. Micron ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji 8-warstwowego HBM3E, a Samsung ogłosił również udany rozwój produktu HBM3E 36 GB 12-warstwowego.Samsung podkreśla, że jego 12-warstwowa HBM3E ma większą liczbę warstw przy jednoczesnym zachowaniu tej samej wysokości jak 8-warstwowy HBM3E.
Maksymalna szerokość pasma 12 -warstwowego HBM3E wynosi 1280 GB/s i w porównaniu z 8 -warstwową HBM3, jego wydajność i pojemność przekraczają 50%.Oczekuje się, że Samsung rozpocznie masową produkcję 12 -warstwową HBM3E pod koniec 2024 r.
Chociaż Samsung nie ogłosił jeszcze masowej produkcji HBM3E, dyrektor generalny NVIDIA Huang Renxun potwierdził na ostatnim GTC 2024, że HBM Samsunga jest obecnie na etapie sprawdzania poprawności.Huang Renxun nawet podpisał i napisał „Jensen zatwierdził” obok wprowadzenia HBM3E Samsunga na 12. piętrze, wywołując spekulacje, że HBM3E Samsunga jest bardzo prawdopodobne, że przechodzi proces weryfikacji.
Podczas Międzynarodowej Konferencji Circuit Solid State Circuit (ISSCC 2024) odbył się w dniach 18–21 lutego, Samsung ogłosił, że nadchodzący HBM4 będzie miał przepustowość 2 TB/s, co stanowi znaczny wzrost o 66% w porównaniu z HBM HBM piątej generacji (HBM3E).Ponadto podwoiła się liczba I/OS.
Oczekuje się, że Samsung będzie masowy produkt HBM4 w 2026 r., Który jest wysoce oczekiwany ze względu na intensywną konkurencję z konkurentami w zakresie badań i rozwoju.
Raporty branżowe wskazują, że Samsung wyprzedza swoich konkurentów w opracowywaniu 12 -warstwowego HBM3E i oczekuje się, że stanie się wyłącznym dostawcą 12 -warstwowej HBM3E NVIDIA już września 2024 r. Samsung stwierdził, że nie jest w stanie ujawnić informacji o klientach.
Pod koniec lutego 2024 r. Micron ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji 8-warstwowego HBM3E, a Samsung ogłosił również udany rozwój produktu HBM3E 36 GB 12-warstwowego.Samsung podkreśla, że jego 12-warstwowa HBM3E ma większą liczbę warstw przy jednoczesnym zachowaniu tej samej wysokości jak 8-warstwowy HBM3E.
Maksymalna szerokość pasma 12 -warstwowego HBM3E wynosi 1280 GB/s i w porównaniu z 8 -warstwową HBM3, jego wydajność i pojemność przekraczają 50%.Oczekuje się, że Samsung rozpocznie masową produkcję 12 -warstwową HBM3E pod koniec 2024 r.
Chociaż Samsung nie ogłosił jeszcze masowej produkcji HBM3E, dyrektor generalny NVIDIA Huang Renxun potwierdził na ostatnim GTC 2024, że HBM Samsunga jest obecnie na etapie sprawdzania poprawności.Huang Renxun nawet podpisał i napisał „Jensen zatwierdził” obok wprowadzenia HBM3E Samsunga na 12. piętrze, wywołując spekulacje, że HBM3E Samsunga jest bardzo prawdopodobne, że przechodzi proces weryfikacji.
Podczas Międzynarodowej Konferencji Circuit Solid State Circuit (ISSCC 2024) odbył się w dniach 18–21 lutego, Samsung ogłosił, że nadchodzący HBM4 będzie miał przepustowość 2 TB/s, co stanowi znaczny wzrost o 66% w porównaniu z HBM HBM piątej generacji (HBM3E).Ponadto podwoiła się liczba I/OS.
Oczekuje się, że Samsung będzie masowy produkt HBM4 w 2026 r., Który jest wysoce oczekiwany ze względu na intensywną konkurencję z konkurentami w zakresie badań i rozwoju.