Numer części producenta : | IS42S32160C-6BI-TR | Status RoHs : | Zawiera ołów / RoHS niezgodny |
---|---|---|---|
Producent / marka : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) | Stan magazynowy : | 4470 pcs Stock |
Opis : | IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA | Statek z : | Hongkong |
Arkusze danych : | IS42S32160C-6BI-TR.pdf | Sposób wysyłki : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Nr części | IS42S32160C-6BI-TR |
---|---|
Producent | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Opis | IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA |
Stan ołowiu / status RoHS | Zawiera ołów / RoHS niezgodny |
dostępna ilość | 4470 pcs |
Arkusze danych | IS42S32160C-6BI-TR.pdf |
Zapisać czas cyklu - słowo, strona | - |
Napięcie - Dostawa | 3 V ~ 3.6 V |
Technologia | SDRAM |
Dostawca urządzeń Pakiet | 90-WBGA (8x13) |
Seria | - |
Opakowania | Tape & Reel (TR) |
Package / Case | 90-LFBGA |
temperatura robocza | -40°C ~ 85°C (TA) |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 3 (168 Hours) |
Typ pamięci | Volatile |
Rozmiar pamięci | 512Mb (16M x 32) |
Interfejs pamięci | Parallel |
Format pamięci | DRAM |
Status bezołowiowy / status RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
szczegółowy opis | SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-WBGA (8x13) |
Częstotliwość zegara | 166MHz |
Czas dostępu | 5.4ns |
IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II